RU1C001UNTCL,RU1C001UNTCL pdf中文资料,RU1C001UNTCL引脚图,RU1C001UNTCL电路-Datasheet-电子工程世界

RU1C001UNTCL: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 栅源极阈值电压：1V @ 100uA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.1 A
最大漏极电流 (ID)	0.1 A
最大漏源导通电阻	4.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	0.4 A
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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