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DTA143EUAFRAT106

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小777KB,共7页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTA143EUAFRAT106概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP

DTA143EUAFRAT106规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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DTA143EUA FRA
PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Datasheet
AEC-Q101 Qualified
l
Outline
Parameter
V
CC
I
C(MAX.)
R
1
R
2
l
Features
Value
-50V
-100mA
4.7kΩ
4.7kΩ
SOT-323
SC-70
 
 
 
 
 
 
(UMT3)
     
               
 
l
Inner circuit
1) Built-In Biasing Resistors, R
1
= R
2
= 4.7kΩ
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
 
an inverter circuit without connecting external
 
input resistors (see inner circuit) .
3) Only the on/off conditions need to be set
 
for operation, making the circuit design easy.
4) Complementary NPN Types: DTC143EUA FRA
l
Application
INVERTER,INTERFACE,DRIVER
l
Packaging specifications
                                           
Part No.
Package
SOT-323
(UMT3)
Package
size
2021
Taping
code
T106
Basic
Reel size Tape width ordering
(mm)
(mm)
unit.(pcs)
180
8
3000
Marking
DTA143EUA FRA
13
                                                                                         
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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