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1N6263

产品描述0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小47KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N6263概述

0.015 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N6263规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述DO-35, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压60 V
最大平均正向电流0.0150 A

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1N6263
SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
Features
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring Construction for Transient
Protection
Fast Switching Time
Low Reverse Capacitance
A
B
A
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: DO-35, Glass
Leads: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Marking: Type Number
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.13 grams (approx.)
Dim
A
B
C
D
D
DO-35
Min
25.40
¾
¾
¾
Max
¾
4.00
0.60
2.00
C
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
STG
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
(BR)R
V
F
I
R
C
j
t
rr
Min
60
¾
¾
¾
¾
Typ
¾
¾
¾
¾
¾
Max
¾
0.41
1.0
200
2.2
1.0
Unit
V
V
nA
pF
ns
Test Condition
I
R
= 10mA
I
F
= 1.0mA
I
F
= 15mA
V
R
= 50V
V
R
= 0V, f = 1.0MHz
I
F
= I
R
= 5.0mA,
I
rr
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100W
1N6263
60
42
15
50
2.0
400
300
-55 to +125
-55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C/W
°C
°C
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t
£
1.0s
@ t = 10ms
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Electrical Characteristics
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Forward Voltage Drop (Note 2)
Reverse Leakage Current (Note 2)
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
2. Short duration test pulses used to minimize self-heating effect.
DS11010 Rev. F-2
1 of 2
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