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2SA1952TLQ

产品描述额定功率:1W 集电极电流Ic:5A 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-60V,Ic=-5A,hfe=120~270
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SA1952TLQ概述

额定功率:1W 集电极电流Ic:5A 集射极击穿电压Vce:60V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-60V,Ic=-5A,hfe=120~270

2SA1952TLQ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-63
包装说明ROHS COMPLIANT, CPT3, SC-63, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn98Cu2)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
最大关闭时间(toff)1800 ns
最大开启时间(吨)300 ns
Base Number Matches1

 
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