电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

UMZ1NTR

产品描述额定功率:150mW 集电极电流Ic:150mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN,PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小3MB,共13页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

UMZ1NTR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
UMZ1NTR - - 点击查看 点击购买

UMZ1NTR概述

额定功率:150mW 集电极电流Ic:150mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN,PNP

UMZ1NTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
Samacsys DescriptionROHM UMZ1NTR Dual NPN+PNP Bipolar Transistor, 150 / -150 mA, 50 / -50 V, 6-Pin SC-88
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
VCEsat-Max0.4 V

文档预览

下载PDF文档
EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A
General purpose transistor (dual transistors)
<For Tr1(NPN)>
Datasheet
l
Outline
Parameter
V
CEO
I
C
 
<For Tr2(PNP)>
Value
50V
150mA
 
SOT-563
SOT-363
 
 
EMZ1
(EMT6)
SOT-457
UMZ1N
(UMT6)
                     
 
 
Parameter
V
CEO
I
C
Value
-50V
-150mA
 
 
IMZ1A
(SMT6)
 
 
l
Features
1)Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K
 
chip in a EMT or UMT or SMT package.
2)Mounting possible with EMT3 or UMT3 or
 
SMT3 automatic mounting machines.
3)Transistor elements are independent,
 
eliminating interference.
4)Mounting cost and area can be cut in half.
l
Inner circuit
EMZ1 / UMZ1N
IMZ1A
l
Application
GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER
l
Packaging specifications
     
     
Part No.
EMZ1
UMZ1N
IMZ1A
Package
SOT-563
(EMT6)
SOT-363
(UMT6)
SOT-457
(SMT6)
Package
size
1616
2021
2928
Taping
code
T2R
TR
T108
Reel size Tape width
(mm)
(mm)
180
180
180
8
8
8
Basic
ordering
unit.(pcs)
8000
3000
3000
Marking
Z1
Z1
Z1
                                                                                         
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
20150825 - Rev.003
逆天了,高中生也能这样从软硬件玩转一个物联网智能监测系统开发
313340 网上看到的,很不错,分享下,侵删 313341 ...
z3512641347 stm32/stm8
用Delphi开发串口通信软件
用Delphi开发串口通信软件一般有两种方法:一是利用Windows的通信API函数,另一种是采用Microsoft的MSComm控件。利用API编写串口通信程序较为复杂,需要掌握大量通信知识,其优点是可实现的功能 ......
LRXTL 单片机
急问:采用2812dec外扩双口ram调试问题。
在2812dec外扩展了一片2m的双口ram。使用的是存储器扩展总线的zone2空间。采用ce0片选。按照书上的存储器空间映射地址应该为:0x80000-0x100000。调试的时候存在的问题如下: 1)我往这段地 ......
leungpki 微控制器 MCU
TE无线连接,释放物联网无限潜能,参与挑战赢好礼!
在充满不确定性的世界中,技术推动着人们不断前进。 物联网的兴起充分证明了这一点。在物联网系统中,大量具有唯一标识的互连设备通过无线网络 传输和共享数据。物联网弥合了现实世界和虚拟 ......
EEWORLD社区 无线连接
msp430f5131无法启动外部晶振高频模式25MHZ
#include // 功能配置 void Port_Mapping(void);int main(void) { WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // 关看门狗 Port_Mapping(); // 启动端口映射功能 // 设置端口 P3DIR |= BIT1; // P3.1 ......
RZy 微控制器 MCU
一些全国大学生电子设计大赛作品
第四届(应该是1999年?)一等奖作品, A题的15009...
kejuyuan 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2399  606  2103  1790  1470  49  13  43  37  30 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved