增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:- 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | 626-05 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
Samacsys Description | LM833NG, Operational Amplifier 15MHz, 8-Pin PDIP |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 9.27 mm |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 7.62 mm |
LM833NG | LM833 | LM833_05 | NCV833DR2G | LM833DR2G | |
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描述 | 增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:- 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V | 1 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDIP8 | 1 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDIP8 | IC OPAMP DUAL LO-NOISE 8SOIC | 增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:4mA 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V LM Series 7 V/us 18 V SMT Low Noise Audio Dual Operational Amplifier - SOIC-8 |
功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
Brand Name | ON Semiconductor | - | - | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 | - | - | 不含铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | - | - | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP | - | - | SOIC | SOIC |
包装说明 | DIP, | - | - | SOP, | ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |
针数 | 8 | - | - | 8 | 8 |
制造商包装代码 | 626-05 | - | - | 751-07 | 751-07 |
Reach Compliance Code | compliant | - | - | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | - | - | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week | - | - | 5 weeks | 1 week |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | - | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | - | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 | - | - | e3 | e3 |
长度 | 9.27 mm | - | - | 4.9 mm | 4.9 mm |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | - | - | SOP | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | - | NOT SPECIFIED | 260 |
座面最大高度 | 5.33 mm | - | - | 1.75 mm | 1.75 mm |
表面贴装 | NO | - | - | YES | YES |
技术 | BIPOLAR | - | - | BIPOLAR | BIPOLAR |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子节距 | 2.54 mm | - | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | - | NOT SPECIFIED | 40 |
宽度 | 7.62 mm | - | - | 3.9 mm | 3.9 mm |
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