电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

LM833NG

产品描述增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:- 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小136KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

LM833NG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
LM833NG - - 点击查看 点击购买

LM833NG概述

增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:- 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V

LM833NG规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数8
制造商包装代码626-05
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionLM833NG, Operational Amplifier 15MHz, 8-Pin PDIP
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.27 mm
功能数量2
端子数量8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7.62 mm

LM833NG相似产品对比

LM833NG LM833 LM833_05 NCV833DR2G LM833DR2G
描述 增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:- 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V 1 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDIP8 1 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, PDIP8 IC OPAMP DUAL LO-NOISE 8SOIC 增益带宽积(GBP):15MHz 放大器组数:2 运放类型:Audio 各通道功耗:4mA 压摆率(SR):7 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V LM Series 7 V/us 18 V SMT Low Noise Audio Dual Operational Amplifier - SOIC-8
功能数量 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Brand Name ON Semiconductor - - ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 DIP - - SOIC SOIC
包装说明 DIP, - - SOP, ROHS COMPLIANT, SOIC-8
针数 8 - - 8 8
制造商包装代码 626-05 - - 751-07 751-07
Reach Compliance Code compliant - - compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week - - 5 weeks 1 week
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER - - OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 - - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 - - e3 e3
长度 9.27 mm - - 4.9 mm 4.9 mm
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - - SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - NOT SPECIFIED 260
座面最大高度 5.33 mm - - 1.75 mm 1.75 mm
表面贴装 NO - - YES YES
技术 BIPOLAR - - BIPOLAR BIPOLAR
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed - - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子节距 2.54 mm - - 1.27 mm 1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - - NOT SPECIFIED 40
宽度 7.62 mm - - 3.9 mm 3.9 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 125  445  487  989  1444 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved