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MJD127T4G

产品描述额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP - Darlington
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJD127T4G概述

额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP - Darlington

MJD127T4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID225684
Samacsys Pin Count4
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategoryTO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint NameDPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C
Samacsys Released Date2016-01-25 14:39:57
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
Base Number Matches1

MJD127T4G相似产品对比

MJD127T4G NJVMJD122T4G-VF01 MJD122G MJD127TF MJD127G
描述 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP - Darlington TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:NPN - Darlington 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP - 达林顿 PNP,100V,8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP - Darlington
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 DPAK-3/2 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
制造商包装代码 369C 369C 369C 369AK 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week 1 week 1 week
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100 100 100
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 PNP NPN NPN PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
针数 3 - 3 - 3
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
Samacsys Confidence 3 - 3 - 3
Samacsys Status Released - Released - Released
Samacsys PartID 225684 - 225681 - 225683
Samacsys Pin Count 4 - 4 - 4
Samacsys Part Category Transistor - Transistor - Transistor
Samacsys Package Category TO-XXX (Inc. DPAK) - TO-XXX (Inc. DPAK) - TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C - DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C - DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C
Samacsys Released Date 2016-01-25 14:39:57 - 2016-01-25 14:39:57 - 2016-01-25 14:39:57
Is Samacsys N - N - N
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 20 W - 20 W 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
晶体管应用 SWITCHING AMPLIFIER SWITCHING - SWITCHING
标称过渡频率 (fT) 4 MHz - 4 MHz - 4 MHz
Base Number Matches 1 - 1 - 1

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