漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：P沟道 P沟道,50V,130mA,10Ω@100mA,5V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| Samacsys Description | Small Signal MOSFET -50V -130mA 10 Ohm Single P-Channel SOT-23 Logic Level Automotive version of the BSS84L. |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.13 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 10 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| BVSS84LT1G | SBSS84LT1G | |
|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：P沟道 P沟道,50V,130mA,10Ω@100mA,5V | 漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：P沟道 P沟道，50V,130mA |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | 318-08 | CASE 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks | 35 weeks |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.13 A | 0.13 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.13 A | 0.13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 10 Ω | 10 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W | 0.225 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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