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NTLUD3A50PZTAG: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双P沟道 P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小130KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：双P沟道 P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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