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CAT25640LI-G

产品描述存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Kb (8K x 8) 工作电压:1.8V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile
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文件大小187KB,共19页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAT25640LI-G概述

存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Kb (8K x 8) 工作电压:1.8V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile

CAT25640LI-G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
制造商包装代码646AA
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)5 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e4
长度9.27 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

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CAT25640
64-Kb SPI Serial CMOS
EEPROM
Description
The CAT25640 is a 64−Kb Serial CMOS EEPROM device
internally organized as 8Kx8 bits. This features a 64−byte page write
buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The
device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the
required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data
output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial
communication with the CAT25640 device. The device features
software and hardware write protection, including partial as well as
full array protection.
Features
http://onsemi.com
SOIC−8
V SUFFIX
CASE 751BD
UDFN−8*
HU3 SUFFIX
CASE 517AX
TDFN−8*
VP2 SUFFIX
CASE 511AK
20 MHz (5 V) SPI Compatible
1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range
SPI Modes (0,0) & (1,1)
64−byte Page Write Buffer
Self−timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
Protect
1
/
4
,
1
/
2
or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
1,000,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
Industrial and Extended Temperature Range
PDIP, SOIC, TSSOP 8−lead, TDFN and UDFN 8−pad Packages
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
V
CC
PDIP−8
L SUFFIX
CASE 646AA
UDFN−8
HU4 SUFFIX
CASE 517AZ
TSSOP−8
Y SUFFIX
CASE 948AL
PIN CONFIGURATION
CS
SO
WP
V
SS
1
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP (L), SOIC (V), TSSOP (Y),
TDFN* (VP2), UDFN* (HU3), UDFN (HU4)
* Not recommended for new designs
PIN FUNCTION
SI
CS
WP
HOLD
SCK
V
SS
CAT25640
SO
Pin Name
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
Function
Chip Select
Serial Data Output
Write Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock
Hold Transmission Input
Power Supply
Figure 1. Functional Symbol
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 19 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
May, 2012
Rev. 10
1
Publication Order Number:
CAT25640/D

CAT25640LI-G相似产品对比

CAT25640LI-G CAT25640VI-GT3
描述 存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Kb (8K x 8) 工作电压:1.8V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile 存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Kb (8K x 8) 工作电压:1.8V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP8,.3 0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
针数 8 8
制造商包装代码 646AA 751BD
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 100 YEAR DATA RETENTION 100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK) 5 MHz 20 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 9.27 mm 4.9 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
电源 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 1.75 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
宽度 7.62 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
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