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FCD620N60ZF

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:620mΩ @ 3.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W 类型:N沟道 N沟道,600V,7.3A,620mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小554KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FCD620N60ZF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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FCD620N60ZF概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:620mΩ @ 3.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W 类型:N沟道 N沟道,600V,7.3A,620mΩ@10V

FCD620N60ZF规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码369AS
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
雪崩能效等级(Eas)135 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7.3 A
最大漏极电流 (ID)7.3 A
最大漏源导通电阻0.62 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21.9 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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