NPN,Vceo=50V,Ic=100mA
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 631AA |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 2 weeks |
Is Samacsys | N |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 160 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
DTC114TM3T5G | MMUN2215LT1G | MUN5215T1G | |
---|---|---|---|
描述 | NPN,Vceo=50V,Ic=100mA | 额定功率:400mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN - 预偏压 | 额定功率:202mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN NPN,50V,100mA |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 631AA | 318-08 | 419-04 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 2 weeks | 1 week | 1 week |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 160 | 160 | 160 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W | 0.2 W | 0.31 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
零件包装代码 | - | SOT-23 | SC-70 |
Samacsys Description | - | NULL | ON SEMICONDUCTOR - MUN5215T1G - TRANSISTOR, RF, NPN, 50V, SOT-323-3 |
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