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MJF44H11G

产品描述额定功率:2W 集电极电流Ic:10A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=10A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJF44H11G在线购买

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MJF44H11G概述

额定功率:2W 集电极电流Ic:10A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=10A

MJF44H11G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明LEAD FREE, CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
针数3
制造商包装代码221D-03
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionON SEMICONDUCTOR - MJF44H11G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-220 FULLPAK
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

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MJF44H11 (NPN),
MJF45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary
Power Transistors
For Isolated Package Applications
Complementary power transistors are for general purpose power
amplification and switching such as output or driver stages in
applications such as switching regulators, converters and power
amplifiers.
Features
http://onsemi.com
SILICON POWER TRANSISTORS
10 AMPERES
80 VOLTS, 36 WATTS
Low Collector−Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
= 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Continuous
Peak
Symbol
V
CEO
V
EB
I
C
P
D
Value
80
5
10
20
36
0.288
2.0
0.016
−55
to 150
Unit
Vdc
Vdc
Adc
1
2
ISOLATED TO−220
CASE 221D
STYLE 2
3
MARKING DIAGRAM
Total Power Dissipation
@ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Total Power Dissipation
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
W
W/°C
W
W/°C
°C
F4xH11G
AYWW
P
D
T
J
, T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Symbol
R
qJC
R
qJA
Max
3.5
62.5
Unit
°C/W
°C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
F4xH11 = Specific Device Code
x = 4 or 5
G
= Pb−Free Package
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
MJF44H11
MJF44H11G
MJF45H11
MJF45H11G
Package
TO−220 FULLPACK
TO−220 FULLPACK
(Pb−Free)
TO−220 FULLPACK
TO−220 FULLPACK
(Pb−Free)
Shipping
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
April, 2009
Rev. 6
1
Publication Order Number:
MJF44H11/D
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