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NB2305AI1DR2G

产品描述3.3V零延迟时钟缓冲器
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小81KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NB2305AI1DR2G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NB2305AI1DR2G概述

3.3V零延迟时钟缓冲器

NB2305AI1DR2G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
制造商包装代码751-07
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time11 weeks
系列2305
输入调节STANDARD
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
逻辑集成电路类型PLL BASED CLOCK DRIVER
最大I(ol)0.012 A
湿度敏感等级1
功能数量1
反相输出次数
端子数量8
实输出次数4
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
Same Edge Skew-Max(tskwd)0.25 ns
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
最小 fmax133.33 MHz
Base Number Matches1

 
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