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FQB4N80TM

产品描述漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.9A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6Ω @ 1.95A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.13W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小970KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQB4N80TM在线购买

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FQB4N80TM概述

漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.9A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6Ω @ 1.95A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.13W 类型:N沟道

FQB4N80TM规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明D2PAK-3
制造商包装代码418AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionFQB4N80TM, N-channel MOSFET Transistor 3.9 A 800 V, 3-Pin D2PAK
雪崩能效等级(Eas)460 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.9 A
最大漏极电流 (ID)3.9 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)15.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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