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BVSS138LT1G

产品描述漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小68KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BVSS138LT1G概述

漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道

BVSS138LT1G规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)200mA
栅源极阈值电压1.5V @ 1mA
漏源导通电阻3.5Ω @ 200mA,5V
最大功率耗散(Ta=25°C)225mW
类型N沟道

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