FQU17P06TU,FQU17P06TU pdf中文资料,FQU17P06TU引脚图,FQU17P06TU电路-Datasheet-电子工程世界

FQU17P06TU: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 225mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小2MB，共11页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 225mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
制造商包装代码	369AR
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Samacsys Description	FQU17P06TU P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK ON Semiconductor
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12 A
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.135 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-251
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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