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MJE15034G

产品描述额定功率:2W 集电极电流Ic:4A 集射极击穿电压Vce:350V 晶体管类型:NPN NPN 350V 4A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJE15034G概述

额定功率:2W 集电极电流Ic:4A 集射极击穿电压Vce:350V 晶体管类型:NPN NPN 350V 4A

MJE15034G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码221A-09
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID225703
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint NameTO-220 CASE221A-09
Samacsys Released Date2015-11-03 12:30:39
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压350 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

MJE15034G相似产品对比

MJE15034G MJE15035G
描述 额定功率:2W 集电极电流Ic:4A 集射极击穿电压Vce:350V 晶体管类型:NPN NPN 350V 4A 额定功率:2W 集电极电流Ic:4A 集射极击穿电压Vce:350V 晶体管类型:PNP
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数 3 3
制造商包装代码 221A-09 221A-09
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 10 weeks 1 week
Samacsys Confidence 3 3
Samacsys Status Released Released
Samacsys PartID 225703 225704
Samacsys Pin Count 3 3
Samacsys Part Category Transistor Transistor
Samacsys Package Category Transistor Outline, Vertical Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name TO-220 CASE221A-09 TO-220 CASE221A-09
Samacsys Released Date 2015-11-03 12:30:39 2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys N N
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 350 V 350 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz
Base Number Matches 1 1

参考设计

菱形双差分对称推挽放大器
...

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