NJT4030P, NJV4030P
Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
Features
•
Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in
•
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
www.onsemi.com
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
•
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Rating
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Base Current
−
Continuous
Collector Current
−
Continuous
Collector Current
−
Peak
ESD
−
Human Body Model
ESD
−
Machine Model
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
B
I
C
I
CM
HBM
MM
Value
40
40
6.0
1.0
3.0
5.0
3B
C
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Adc
V
V
PNP TRANSISTOR
3.0 AMPERES
40 VOLTS, 2.0 WATTS
COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
MARKING
DIAGRAM
4
1
2
3
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
1
AYW
4030PG
G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
A
Y
W
4030P
G
= Assembly Location
Year
= Work Week
= Specific Device Code
= Pb−Free Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
P
D
Max
Unit
W
Total Power Dissipation
Total P
D
@ T
A
= 25°C (Note 1)
Total P
D
@ T
A
= 25°C (Note 2)
2.0
0.80
64
155
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
NJT4030PT1G
NJV4030PT1G
NJT4030PT3G
NJV4030PT3G
Package
SOT−223
(Pb−Free)
SOT−223
(Pb−Free)
Shipping
†
1000 / Tape &
Reel
4000 / Tape &
Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
R
qJA
R
qJA
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
Operating and Storage Junction
Temperature Range
260
°C
°C
T
J
, T
stg
−55
to
+ 150
1. Mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material.
2. Mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Junction−to−Ambient (Note 1)
Junction−to−Ambient (Note 2)
°C/W
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
October, 2018
−
Rev. 6
1
Publication Order Number:
NJT4030P/D
P
D
, POWER DISSIPATION (W)
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
3. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
ms,
Duty Cycle
≤
2%.
4. f
T
= |h
FE
|
•
f
test
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Current−Gain
−
Bandwidth Product (Note 4)
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 10 V, F
test
= 1.0 MHz)
Input Capacitance
(V
EB
= 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
DC Current Gain
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 0.5 Adc, I
B
= 5.0 mAdc)
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 10 mAdc)
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 6.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 40 Vdc)
Emitter−Base Voltage
(I
E
= 50
mAdc,
I
C
= 0 Adc)
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0 Adc)
Characteristic
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
25
50
Figure 1. Power Derating
T
C
NJT4030P, NJV4030P
T
A
T
J
, TEMPERATURE (°C)
www.onsemi.com
75
100
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
V
EBO
I
CBO
I
EBO
C
ob
h
FE
C
ib
f
T
125
Min
220
200
100
6.0
40
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
150
Typ
160
130
40
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.150
0.200
0.500
Max
−
400
−
100
100
1.0
1.0
−
−
−
−
−
nAdc
nAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
−
2
NJT4030P, NJV4030P
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.2
I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
, EMITTER−BASE
SATURATION VOLTAGE (V)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
150°C
I
C
/I
B
= 50
−40°C
V
BE(sat)
, EMITTER−BASE
SATURATION VOLTAGE (V)
−40°C
25°C
150°C
25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 8. Base−Emitter Saturation Voltage
350
C
ibo
, INPUT CAPACITANCE (pF)
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
100
C
obo
, OUTPUT CAPACITANCE (pF)
80
60
40
20
0
Figure 9. Base−Emitter Saturation Voltage
T
J
= 25°C
f
test
= 1 MHz
T
J
= 25°C
f
test
= 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
35
V
EB
, EMITTER BASE VOLTAGE (V)
V
CB
, COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)
Figure 10. Input Capacitance
200
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
f
Tau
, CURRENT BANDWIDTH
PRODUCT (MHz)
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= 25°C
f
test
= 1 MHz
V
CE
= 10 V
10
Figure 11. Output Capacitance
0.5 ms
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
0.001
0.01
0.1
1
0.01
1
10
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 12. Current−Gain Bandwidth Product
Figure 13. Safe Operating Area
www.onsemi.com
4
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
