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MMBF2201NT1G

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 N沟道,20V,0.3A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMBF2201NT1G概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 N沟道,20V,0.3A

MMBF2201NT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码419-04
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.3 A
最大漏极电流 (ID)0.3 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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