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PZTA42T1G

产品描述额定功率:1.5W 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:300V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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PZTA42T1G在线购买

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PZTA42T1G概述

额定功率:1.5W 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:300V 晶体管类型:NPN

PZTA42T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-261AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
制造商包装代码0.0318
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
Samacsys DescriptionNPN High Voltage Bipolar Transistor, 0.05 A 300 V SOT-223
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

 
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