额定功率:1.5W 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:300V 晶体管类型:NPN
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-261AA |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | 0.0318 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
Samacsys Description | NPN High Voltage Bipolar Transistor, 0.05 A 300 V SOT-223 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 300 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-261AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |
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