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MMSZ11T1G

产品描述精度:- 稳压值(典型值):11V 反向漏电流:100nA @ 8V 最大功率:500mW 11V 500mW
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小161KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMSZ11T1G在线购买

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MMSZ11T1G概述

精度:- 稳压值(典型值):11V 反向漏电流:100nA @ 8V 最大功率:500mW 11V 500mW

MMSZ11T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
制造商包装代码425-04
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionON Semiconductor MMSZ11T1G Zener Diode, 11V 5% 500 mW SMT 3-Pin SOD-123
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压11 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA
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