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NTD4969NT4G: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小81KB，共7页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ