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NTD6415ANLT4G

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTD6415ANLT4G概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道

NTD6415ANLT4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369AA-01, 3 PIN
针数4
制造商包装代码369AA
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
雪崩能效等级(Eas)79 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)23 A
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.056 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NTD6415ANLT4G相似产品对比

NTD6415ANLT4G NTD6415ANL NVD6415ANLT4G-VF01
描述 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 23 A, 100 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Reach Compliance Code not_compliant - not_compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
JESD-609代码 e3 - e3
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
表面贴装 YES Yes -
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL -
晶体管应用 SWITCHING 开关 -
晶体管元件材料 SILICON -
Base Number Matches 1 - 1

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