漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369AA-01, 3 PIN |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | 369AA |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
雪崩能效等级(Eas) | 79 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 23 A |
最大漏极电流 (ID) | 23 A |
最大漏源导通电阻 | 0.056 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 83 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
NTD6415ANLT4G | NTD6415ANL | NVD6415ANLT4G-VF01 | |
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描述 | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 | 23 A, 100 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 |
Reach Compliance Code | not_compliant | - | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 2 | 2 | - |
表面贴装 | YES | Yes | - |
端子面层 | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
端子位置 | DUAL | 双 | - |
晶体管应用 | SWITCHING | 开关 | - |
晶体管元件材料 | SILICON | 硅 | - |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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