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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SMUN2232T1G
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SMUN2232T1G

产品描述额定功率：230mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB，共12页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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SMUN2232T1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SMUN2232T1G概述

额定功率：230mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压

SMUN2232T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-59
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码318D-04
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.338 W
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SMUN2232T1G相似产品对比

SMUN2232T1G MMUN2232LT1G
描述 额定功率：230mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,50V,100mA
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SC-59 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
制造商包装代码 318D-04 318-08
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 15 15
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.338 W 0.4 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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