电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SMSD602-RT1G

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小56KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SMSD602-RT1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SMSD602-RT1G - - 点击查看 点击购买

SMSD602-RT1G概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN

SMSD602-RT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
针数3
制造商包装代码318D-04
Reach Compliance Codecompliant

SMSD602-RT1G相似产品对比

SMSD602-RT1G MSD602-RT1G
描述 额定功率:200mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
针数 3 3
制造商包装代码 318D-04 318D-04
Reach Compliance Code compliant compliant

推荐资源

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 91  795  1094  1154  1164 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved