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FDC3512

产品描述漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:77mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道 N沟道,80V,3A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDC3512概述

漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:77mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道 N沟道,80V,3A

FDC3512规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码419BL
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time7 weeks
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.077 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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