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SMMBTA06LT1G: 产品描述额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小91KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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SMMBTA06LT1G概述

额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN

SMMBTA06LT1G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	318-08
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	4 weeks
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

SMMBTA06LT1G相似产品对比

	SMMBTA06LT1G	SMMBTA06LT3G	NSVMMBTA05LT1G	MMBTA05LT1G	MMBTA06LT3G	MMBTA06LT1G
描述	额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN	Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR	TRANS NPN 60V SOT23	额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：60V 晶体管类型：NPN 驱动晶体管,NPN,Vceo=60V,Ic=0.5A	额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN NPN,80V,500mA	额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：60V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=60V,Ic=0.5A
Brand Name	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
制造商包装代码	318-08	318-08	318-08	318-08	318-08	318-08
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
Factory Lead Time	4 weeks	5 weeks	4 weeks	1 week	1 week	1 week
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	-	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	-	3	3	3
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	-	0.5 A	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	-	60 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	-	100	100	100
JEDEC-95代码	TO-236	TO-236	-	TO-236	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3	-	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	-	1	1	1
元件数量	1	1	-	1	1	1
端子数量	3	3	-	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	-	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	-	0.225 W	0.225 W	0.225 W
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	40	40	40
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	-	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Base Number Matches	1	1	-	1	1	1

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