额定功率：20W 集电极电流Ic：6A 集射极击穿电压Vce：100V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=100V,Ic=6A
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 369C |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| MJD41CT4G | MJD42CT4G | |
|---|---|---|
| 描述 | 额定功率：20W 集电极电流Ic：6A 集射极击穿电压Vce：100V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=100V,Ic=6A | 额定功率：1.75W 集电极电流Ic：6A 集射极击穿电压Vce：100V 晶体管类型：PNP NPN,Vceo=100V,Ic=6A |
| Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | 369C | 369C |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 4 weeks |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 6 A | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V | 100 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 | 15 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W | 20 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz | 3 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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