漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 7.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：双N沟道 双N沟道,20V,7.5A,18mΩ@4.5V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 制造商包装代码 | 751EB |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Description | FDS6892A, Dual N-channel MOSFET Transistor 7.5A 20V, 8-Pin SOIC |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.018 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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