极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：1A 箝位电压：35V (Typ) 击穿电压（最小值）：20.5V 反向关断电压（典型值）：18.5V (Max)
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | R-PBCC-N2 |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | 152AF |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 7 weeks |
| Samacsys Description | ON SEMICONDUCTOR - ESD7181MUT5G - DIODE, ESD PROTECTION, 18.5V, X3DFN-2 |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE |
| 最大击穿电压 | 35 V |
| 最小击穿电压 | 20.5 V |
| 击穿电压标称值 | 20.5 V |
| 最大钳位电压 | 41.1 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 参考标准 | IEC-61000-4-2, 4-5 |
| 最大重复峰值反向电压 | 18.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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