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NSR0230M2T5G

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):500mV @ 200mA 30V 0.2A VF=0.5V@0.2A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSR0230M2T5G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NSR0230M2T5G概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):500mV @ 200mA 30V 0.2A VF=0.5V@0.2A

NSR0230M2T5G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明LEAD FREE, MINIATURE, PLASTIC, CASE 509AA-01, 2 PIN
针数2
制造商包装代码509AA
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.325 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.167 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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NSR0230M2T5G,
NSVR0230M2T5G
Schottky Barrier Diode
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature
surface mount package is excellent for hand−held and portable
applications where space is limited.
Features
http://onsemi.com
Extremely Fast Switching Speed
Extremely Low Forward Voltage 0.325 V (max) @ I
F
= 10 mA
Low Reverse Current
AEC Qualified and PPAP Capable
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements
This is a Pb−Free Device*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Reverse Voltage
Forward Current DC
Forward Current Surge Peak
(60 Hz, 1 cycle)
ESD Rating:
Class 3B per Human Body Model
Class C per Machine Model
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Symbol
V
R
I
F
I
FSM
Value
30
200
1.0
Unit
Vdc
mA
A
30 V SCHOTTKY
BARRIER DIODE
SOD−723
CASE 509AA
PLASTIC
1
CATHODE
2
ANODE
MARKING DIAGRAM
7C MG
G
1
2
7C = Specific Device Code
M = Month Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR−5 Board,
(Note 1)
T
A
= 25C
Derate above 25C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature Range
1. FR−5 Minimum Pad.
Symbol
P
D
167
2.0
R
qJA
T
J
, T
stg
600
−55
to
+125
mW
mW/C
C/W
C
Max
Unit
ORDERING INFORMATION
Device
NSR0230M2T5G
Package
Shipping†
SOD−723
2 mm Pitch
(Pb−Free) 8,000/Tape & Reel
NSVR0230M2T5G SOD−723
2 mm Pitch
(Pb−Free) 8,000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
November, 2011
Rev. 3
1
Publication Order Number:
NSR0230/D
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