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BCW66GLT1G

产品描述额定功率:300mW 集电极电流Ic:800mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=45V,Ic=800mA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BCW66GLT1G在线购买

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BCW66GLT1G概述

额定功率:300mW 集电极电流Ic:800mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=45V,Ic=800mA

BCW66GLT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码318-08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)400 ns
最大开启时间(吨)100 ns
Base Number Matches1
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