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PMV250EPEAR

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道 MOSFET P-CH 40V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小708KB,共16页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PMV250EPEAR概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道 MOSFET P-CH 40V

PMV250EPEAR规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码TO-236
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SOT23
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys Descriptionp channel mosfet
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)1.5 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PMV250EPEAR相似产品对比

PMV250EPEAR 934067624215
描述 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道 MOSFET P-CH 40V MOSFET P-CH 40V SOT23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V 40 V
最大漏极电流 (ID) 1.5 A 1.5 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω 0.24 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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