晶体管类型：2 NPN(双)电流反射镜 集电极电流Ic：- 集射极击穿电压Vce：- 额定功率：- NPN
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Nexperia |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 零件包装代码 | SOT-143 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | SOT143B |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 110 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | CURRENT MIRROR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 110 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.6 V |
| BCV61A,215 | BCV61B,215 | BCV61C,215 | BCV61,215 | BCV61,235 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 晶体管类型：2 NPN(双)电流反射镜 集电极电流Ic：- 集射极击穿电压Vce：- 额定功率：- NPN | TRANS NPN 30V 100MA DUAL SOT143B | 额定功率：250mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：30V 晶体管类型：2 NPN(双)电流反射镜 | BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin | |
| Brand Name | Nexperia | Nexperia | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 零件包装代码 | SOT-143 | SOT-143 | SOT-143 | SOT-143 | SOT-143 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 制造商包装代码 | SOT143B | SOT143B | SOT143B | SOT143B | SOT143B |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 配置 | CURRENT MIRROR | CURRENT MIRROR | CURRENT MIRROR | CURRENT MIRROR | CURRENT MIRROR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.6 V | 0.6 V | 0.6 V | 0.6 V | 0.6 V |
| 厂商名称 | Nexperia | - | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 其他特性 | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 110 | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 200 | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 420 | - | - |
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