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PDTA143ET,215

产品描述额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PDTA143ET,215概述

额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA

PDTA143ET,215规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码TO-236
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SOT23
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionPDTA143E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 4.7 kOhm
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量5 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

PDTA143ET,215相似产品对比

PDTA143ET,215
描述 额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA
Brand Name Nexperia
厂商名称 Nexperia
零件包装代码 TO-236
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
制造商包装代码 SOT23
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Samacsys Description PDTA143E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 4.7 kOhm
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
基于收集器的最大容量 5 pF
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 30
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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