额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
零件包装代码 | TO-236 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | PDTA143E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 4.7 kOhm |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Base Number Matches | 1 |
PDTA143ET,215 | |
---|---|
描述 | 额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
零件包装代码 | TO-236 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | PDTA143E series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = 4.7 kOhm |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Base Number Matches | 1 |
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