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BUK9K52-60E,115

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 栅源极阈值电压:2.1V @ 1mA 漏源导通电阻:49mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W 类型:双N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小734KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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BUK9K52-60E,115概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 栅源极阈值电压:2.1V @ 1mA 漏源导通电阻:49mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W 类型:双N沟道

BUK9K52-60E,115规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A
栅源极阈值电压2.1V @ 1mA
漏源导通电阻49mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)32W
类型双N沟道
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