漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:44mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):490mW 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
零件包装代码 | TO-236 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 4 weeks |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.044 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
PMV40UN2R | 934068493215 | |
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描述 | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.7A 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:44mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):490mW 类型:N沟道 | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.7 A | 3.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.044 Ω | 0.044 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-236AB | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
参考标准 | IEC-60134 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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