漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA(Ts=80°C) 栅源极阈值电压：400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻：500mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW(Ts=80°C) 类型：N沟道 N沟道 30V 0.85A
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Nexperia |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 零件包装代码 | TO-236 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT23 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| Samacsys Confidence | 3 |
| Samacsys Status | Released |
| Samacsys PartID | 252556 |
| Samacsys Pin Count | 3 |
| Samacsys Part Category | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name | SOT23-ren2 |
| Samacsys Released Date | 2016-01-05 02:50:19 |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.85 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| BSH103,215 | BSH103,235 | |
|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA(Ts=80°C) 栅源极阈值电压：400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻：500mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW(Ts=80°C) 类型：N沟道 N沟道 30V 0.85A | 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 栅源极阈值电压：400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻：400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道 N沟 30V 0.85A |
| Brand Name | Nexperia | Nexperia |
| 厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
| 零件包装代码 | TO-236 | TO-236 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT23 | SOT23 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 weeks | 4 weeks |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.85 A | 0.85 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω | 0.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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