PDTC123ET,215,PDTC123ET,215 pdf中文资料,PDTC123ET,215引脚图,PDTC123ET,215电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PDTC123ET,215

PDTC123ET,215: 产品描述NPN,Vceo=50V,Ic=100mA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小217KB，共15页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com

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PDTC123ET,215概述

NPN,Vceo=50V,Ic=100mA

PDTC123ET,215规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Nexperia
厂商名称	Nexperia
零件包装代码	TO-236
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	SOT23
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	0.3 V

PDTC123ET,215相似产品对比

	PDTC123ET,215	PDTC123ETVL	PDTC123EU,115	PDTC123EM,315	PDTC123EE,115
描述	NPN,Vceo=50V,Ic=100mA	PDTC123ET/SOT23/TO-236AB	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm DFN 3-Pin	PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm SC-75 3-Pin
Brand Name	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia
零件包装代码	TO-236	TO-236	SC-70	DFN	SC-75
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CHIP CARRIER, R-PBCC-N3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3	3
制造商包装代码	SOT23	SOT23	SOT323	SOT883	SOT416
厂商名称	Nexperia	Nexperia	-	Nexperia	-
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PBCC-N3	-
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	-
湿度敏感等级	1	-	1	1	-
元件数量	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	-
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-
端子面层	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	-
处于峰值回流温度下的最长时间	40	-	40	NOT SPECIFIED	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-

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