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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PBSS5320T,215
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PBSS5320T,215

产品描述额定功率：540mW 集电极电流Ic：2A 集射极击穿电压Vce：20V 晶体管类型：PNP PNP,-20V,-3A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小213KB，共11页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PBSS5320T,215概述

额定功率：540mW 集电极电流Ic：2A 集射极击穿电压Vce：20V 晶体管类型：PNP PNP,-20V,-3A

PBSS5320T,215规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
零件包装代码TO-236
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SOT23
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)220
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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