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SST39VF6402B-70-4I-EKE

产品描述存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:Parallel 存储器容量:64Mb (4M x 16) 存储器类型:Non-Volatile
产品类别存储    存储   
文件大小4MB,共38页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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SST39VF6402B-70-4I-EKE在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SST39VF6402B-70-4I-EKE概述

存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:Parallel 存储器容量:64Mb (4M x 16) 存储器类型:Non-Volatile

SST39VF6402B-70-4I-EKE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
Factory Lead Time9 weeks
最长访问时间70 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模2K
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm

SST39VF6402B-70-4I-EKE相似产品对比

SST39VF6402B-70-4I-EKE SST39VF6401B-70-4I-B1KE-T-MCH SST39VF6401B-70-4I-EKE-MCL
描述 存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:Parallel 存储器容量:64Mb (4M x 16) 存储器类型:Non-Volatile Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48 Flash, 4MX16, 70ns, PDSO48
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
包装说明 TSOP1, TSSOP48,.8,20 TFBGA, TSOP1,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 R-PBGA-B48 R-PDSO-G48
长度 18.4 mm 10 mm 18.4 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端子数量 48 48 48
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TFBGA TSOP1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 2.7 V 2.7 V 2.7 V
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING BALL GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL BOTTOM DUAL
宽度 12 mm 8 mm 12 mm
其他特性 TOP BOOT BLOCK - BOTTOM BOOT BLOCK
启动块 TOP - BOTTOM
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