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DN2450K4-G

产品描述漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA(Tj) 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:10Ω @ 300mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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DN2450K4-G概述

漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA(Tj) 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:10Ω @ 300mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道

DN2450K4-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明GREEN, DPAK-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
其他特性LOW THRESHOLD
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.35 A
最大漏极电流 (ID)0.35 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1 A
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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