Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN2106K1-G

TN2106K1-G: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：280mA(Tj) 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小693KB，共6页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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TN2106K1-G概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：280mA(Tj) 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道

TN2106K1-G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	14 weeks 3 days
其他特性	LOW THRESHOLD, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.28 A
最大漏极电流 (ID)	0.28 A
最大漏源导通电阻	2.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	8 pF
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.36 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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Supertex inc.

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FET

Features

►

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low C

ISS

and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

TN2106

General Description

Applications

►

Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS

Solid state relays

Battery operated systems

Photo-voltaic drives

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

This low threshold, enhancement-mode (normally-off)

transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s

well-proven, silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power handling

capabilities of bipolar transistors and the high input impedance

and positive temperature coefficient inherent in MOS devices.

Characteristic of all MOS structures, this device is free

from thermal runaway and thermally-induced secondary

breakdown.

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide

range of switching and amplifying applications where very

low threshold voltage, high breakdown voltage, high input

impedance, low input capacitance, and fast switching speeds

are desired.

Ordering Information

Part Number

TN2106K1-G

TN2106N3-G

TN2106N3-G P002

TN2106N3-G P003

TN2106N3-G P005

TN2106N3-G P013

TN2106N3-G P014

-G denotes a lead (Pb)-free / RoHS compliant package.

Contact factory for Wafer / Die availablity.

Devices in Wafer / Die form are lead (Pb)-free / RoHS compliant.

Product Summary

Packing

3000/Reel

1000/Bag

DSS

/BV

DGS

60V

DS(ON)

(max)

Package Option

TO-236AB (SOT-23)

TO-92

GS(th)

(max)

2.5Ω

2.0V

Pin Configuration

TO-92

2000/Reel

DRAIN

SOURCE

GATE

SOURCE

GATE

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Gate-to-source voltage

Operating and storage temperature

Value

DSS

DGS

±20V

-55

C to +150

TO-236AB (SOT-23)

TO-92

Product Marking

N1LW

W = Code for week sealed

= “Green” Packaging

Package may or may not include the following marks: Si or

TO-236AB (SOT-23)

Si TN

21 0 6

YYWW

YY = Year Sealed

WW = Week Sealed

= “Green” Packaging

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

Typical Thermal Resistance

Package

TO-236AB (SOT-23)

TO-92

Doc.# DSFP-TN2106

B080913

Package may or may not include the following marks: Si or

203

C/W

132

C/W

TO-92

Supertex inc.

www.supertex.com

TN2106K1-G相似产品对比

	TN2106K1-G	TN2106N3-P014	TN2106N3-G-P014	TN2106N3-G-P013	TN2106N3-G-P003	TN2106N3-G-P002	TN2106N3-P003-G
描述	漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：280mA(Tj) 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道	MOSFET 60V 2.5Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 60V 2.5Ohm
产品种类 Product Category	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET
制造商 Manufacturer	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
RoHS	-	No	Details	Details	Details	Details	Details
技术 Technology	-	Si	Si	Si	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3
Number of Channels	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
Id - Continuous Drain Current	-	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	-	2.5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	5 Ohms	2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	-	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C
Configuration	-	Single	Single	Single	Single	Single	Single
Channel Mode	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement
Fall Time	-	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns
高度 Height	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	-
长度 Length	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	-	740 mW	740 mW	740 mW	740 mW	740 mW	740 mW
产品 Product	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal
Rise Time	-	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	2000	2000	2000	2000	2000	2000
Transistor Type	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	-	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
Typical Turn-On Delay Time	-	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns	3 ns
宽度 Width	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm	-
单位重量 Unit Weight	-	0.007760 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz
系列 Packaging	-	-	Cut Tape	Cut Tape	Cut Tape	Cut Tape	Reel

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