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SI3401A-TP

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小458KB,共4页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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SI3401A-TP在线购买

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SI3401A-TP概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道

SI3401A-TP规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A
栅源极阈值电压1.3V @ 250uA
漏源导通电阻60mΩ @ 4.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)400mW
类型P沟道
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