额定功率：350mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-150mA,hfe=200~600
| 参数名称 | 属性值 |
| 额定功率 | 350mW |
| 集电极电流Ic | 150mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V |
| 晶体管类型 | PNP |
| KTC9015S-C-RTK/P | KTC9015S-C | KTC9015S-B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 额定功率：350mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-150mA,hfe=200~600 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN |
| 厂商名称 | - | KEC | KEC |
| 零件包装代码 | - | SOT-23 | SOT-23 |
| 包装说明 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | - | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | - | unknown | unknown |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | - | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | - | 0.15 A | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | - | 50 V | 50 V |
| 配置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | - | 200 | 100 |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | - | PNP | PNP |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | - | 60 MHz | 60 MHz |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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