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IRFB52N15DPBF

产品描述漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):51A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小325KB,共11页
制造商IR
官网地址http://www.irf.com
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IRFB52N15DPBF概述

漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):51A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,150V,51A,32mΩ@10V

IRFB52N15DPBF规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)51A
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻32mΩ @ 36A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.8W
类型N沟道

IRFB52N15DPBF相似产品对比

IRFB52N15DPBF
描述 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):51A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
漏源电压(Vdss) 150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 51A
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
漏源导通电阻 32mΩ @ 36A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 3.8W
类型 N沟道

 
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