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IRF7240TRPBF

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小119KB,共9页
制造商IR
官网地址http://www.irf.com
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IRF7240TRPBF在线购买

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IRF7240TRPBF概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V

IRF7240TRPBF规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10.5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻15mΩ @ 10.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型P沟道

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描述 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10.5A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
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