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IRFH7440TRPBF

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A 栅源极阈值电压:3.9V @ 100uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W 类型:N沟道 N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小354KB,共11页
制造商IR
官网地址http://www.irf.com
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IRFH7440TRPBF概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A 栅源极阈值电压:3.9V @ 100uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W 类型:N沟道 N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V

IRFH7440TRPBF规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)85A
栅源极阈值电压3.9V @ 100uA
漏源导通电阻2.4mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)104W
类型N沟道

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描述 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A 栅源极阈值电压:3.9V @ 100uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W 类型:N沟道 N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 85A
栅源极阈值电压 3.9V @ 100uA
漏源导通电阻 2.4mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 104W
类型 N沟道
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