漏源电压（Vdss）：55V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 68 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 17 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 17 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRLR024NTRPBF | |
|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：55V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,55V,17A,65mΩ@10V |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 68 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 17 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 17 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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